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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciPSMN013-40VLDX
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PSMN013-40VLDX - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PSMN013-40VLDX
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PSMN013-40VLDX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
PSMN013-40VLD - DUAL N-CHANNEL 4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-1205, 8-LFPAK56
Scheda dati
PSMN013-40VLD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 53520

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PSMN013-40VLDX
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PSMN013-40VLDX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PSMN013-40VLDX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56D  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 13.6mOhm @ 10A, 10V  
Potenza - Max 46W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-1205, 8-LFPAK56  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base PSMN013  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PSMN013-40VLDX

Proprietà del prodotto PSMN013-40VLDX PSMN014-80YL PSMN013-30YLC PSMN013-30YLC115
Modello di prodotti PSMN013-40VLDX PSMN014-80YL PSMN013-30YLC PSMN013-30YLC115
fabbricante Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors
Tensione drain-source (Vdss) 40V - - -
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 1mA - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Ta) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 13.6mOhm @ 10A, 10V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56D - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Potenza - Max 46W (Ta) - - -
Contenitore / involucro SOT-1205, 8-LFPAK56 - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V - - -
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Numero di prodotto di base PSMN013 - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -

PSMN013-40VLDX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PSMN013-40VLDX PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PSMN013-40VLDX - Nexperia USA Inc..

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Schede tecniche
PSMN013-40VLD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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