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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPSMN011-60MSX
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PSMN011-60MSX - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PSMN011-60MSX
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PSMN011-60MSX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Scheda dati
PSMN011-60MS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 59870

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PSMN011-60MSX
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PSMN011-60MSX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PSMN011-60MSX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.3mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 91W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1368 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 61A (Tc)  
Numero di prodotto di base PSMN011  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PSMN011-60MSX

Proprietà del prodotto PSMN011-60MSX PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 PSMN012-100YS,115
Modello di prodotti PSMN011-60MSX PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 PSMN012-100YS,115
fabbricante Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33 TO-220AB TO-220AB LFPAK56, Power-SO8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 61A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 60A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 100 V 100 V
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) TO-220-3 TO-220-3 SC-100, SOT-669
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 91W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc) 130W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 11.3mOhm @ 15A, 10V 8.8mOhm @ 25A, 10V 8.8mOhm @ 25A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V
Serie - TrenchMOS™ TrenchMOS™ -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1368 pF @ 30 V 8250 pF @ 25 V 8250 pF @ 25 V 3500 pF @ 50 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base PSMN011 - PSMN009 PSMN012

PSMN011-60MSX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PSMN011-60MSX PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PSMN011-60MSX - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Mult Devices Label 30/Sep/2018.pdf
Schede tecniche
PSMN011-60MS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Addition 05/Oct/2014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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