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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPSMN005-75B,118
PSMN005-75B,118 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PSMN005-75B,118 - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PSMN005-75B,118
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PSMN005-75B,118
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
PSMN005-75B.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17603

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PSMN005-75B,118
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PSMN005-75B,118, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PSMN005-75B,118

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base PSMN005  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PSMN005-75B,118

Proprietà del prodotto PSMN005-75B,118 PSMN008-75B.118 PSMN005-75B PSMN005-55B
Modello di prodotti PSMN005-75B,118 PSMN008-75B.118 PSMN005-75B PSMN005-55B
fabbricante Nexperia USA Inc. PSN Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors
Tipo FET N-Channel - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8250 pF @ 25 V - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Numero di prodotto di base PSMN005 - - -
Serie TrenchMOS™ - - -
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 75 V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -

PSMN005-75B,118 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PSMN005-75B,118 PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PSMN005-75B,118 - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
Schede tecniche
PSMN005-75B.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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