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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMXB56ENZ
PMXB56ENZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMXB56ENZ - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMXB56ENZ
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PMXB56ENZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-XDFN Exposed Pad
Scheda dati
PMXB56EN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 440000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMXB56ENZ
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PMXB56ENZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PMXB56ENZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DFN1010D-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta), 8.33W (Tc)  
Contenitore / involucro 3-XDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 209 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base PMXB56  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PMXB56ENZ

Proprietà del prodotto PMXB56ENZ RD3P130SPTL1 PMXB40UNE IRLI540G
Modello di prodotti PMXB56ENZ RD3P130SPTL1 PMXB40UNE IRLI540G
fabbricante Nexperia USA Inc. Rohm Semiconductor Nexperia Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±10V
Numero di prodotto di base PMXB56 RD3P130 - IRLI540
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore DFN1010D-3 TO-252 DFN1010D-3 TO-220-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 12V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta) 13A (Ta) 3.2A (Ta) 17A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.5V @ 1mA 900mV @ 250µA 2V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tube
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 1.2V, 4.5V 4V, 5V
Contenitore / involucro 3-XDFN Exposed Pad TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 3-XDFN Exposed Pad TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 209 pF @ 15 V 2400 pF @ 25 V 556pF @ 10V 2200 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) 20W (Tc) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) 48W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 11.6nC @ 4.5V 64 nC @ 5 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 10V 200mOhm @ 6.5A, 10V 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V 77mOhm @ 10A, 5V

PMXB56ENZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMXB56ENZ PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PMXB56ENZ - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Schede tecniche
PMXB56EN.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMXB56ENZ

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