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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPMPB48EPAX
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PMPB48EPAX - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PMPB48EPAX
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PMPB48EPAX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati
PMPB48EPA.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 260120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PMPB48EPAX
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PMPB48EPAX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PMPB48EPAX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DFN2020MD-6  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)  
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base PMPB48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PMPB48EPAX

Proprietà del prodotto PMPB48EPAX PMPB23XNEZ PMPB85ENEAX PMPB40SNA115
Modello di prodotti PMPB48EPAX PMPB23XNEZ PMPB85ENEAX PMPB40SNA115
fabbricante Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 15 V 1136 pF @ 10 V 305 pF @ 30 V 612 pF @ 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 9.2 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 22mOhm @ 7A, 4.5V 95mOhm @ 3A, 10V 43mOhm @ 4.8A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - Automotive, AEC-Q100 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Ta) 7A (Ta) 3A (Ta) 12.9A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 1.7W (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base PMPB48 - PMPB85 -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore DFN2020MD-6 DFN2020MD-6 DFN2020MD-6 DFN2020MD-6
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 60 V 60 V

PMPB48EPAX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PMPB48EPAX PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PMPB48EPAX - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
PMPB48EPA.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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