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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNX7002BKR
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NX7002BKR - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
NX7002BKR
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-NX7002BKR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
NX7002BK.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 801650

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche NX7002BKR
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - NX7002BKR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - NX7002BKR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 310mW (Ta), 1.67W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23.6 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 270mA (Ta)  
Numero di prodotto di base NX7002  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. NX7002BKR

Proprietà del prodotto NX7002BKR NX7002BKSX NX7002BK215 NX7002BKWX
Modello di prodotti NX7002BKR NX7002BKSX NX7002BK215 NX7002BKWX
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V - 5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - SC-70, SOT-323
Serie - - * -
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA - 2.1V @ 250µA
Numero di prodotto di base NX7002 NX7002 - NX7002
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 10 V 1 nC @ 10 V - 1 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23.6 pF @ 10 V 23.6 pF @ 10 V - 23.6 pF @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 270mA (Ta) 270mA (Ta) - 270mA (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V - 60 V
Dissipazione di potenza (max) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) - 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB 6-TSSOP - SOT-323
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V - 2.8Ohm @ 200mA, 10V

NX7002BKR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NX7002BKR PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per NX7002BKR - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Schede tecniche
NX7002BK.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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