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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBUK9K45-100E,115
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BUK9K45-100E,115 - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BUK9K45-100E,115
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-BUK9K45-100E,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-1205, 8-LFPAK56
Scheda dati
BUK9K45-100E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 43940

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BUK9K45-100E,115
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - BUK9K45-100E,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - BUK9K45-100E,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56D  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V  
Potenza - Max 53W  
Contenitore / involucro SOT-1205, 8-LFPAK56  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2152pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BUK9K45  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. BUK9K45-100E,115

Proprietà del prodotto BUK9K45-100E,115 BUK9K25-40RAX BUK9K5R6-30EX BUK9K6R8-40EX
Modello di prodotti BUK9K45-100E,115 BUK9K25-40RAX BUK9K5R6-30EX BUK9K6R8-40EX
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2152pF @ 25V 701pF @ 25V 2480pF @ 25V 3000pF @ 25V
Tensione drain-source (Vdss) 100V 40V 30V 40V
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V 24mOhm @ 5A, 10V 5.8mOhm @ 10A, 5V 6.1mOhm @ 10A, 10V
Contenitore / involucro SOT-1205, 8-LFPAK56 SOT-1205, 8-LFPAK56 SOT-1205, 8-LFPAK56 SOT-1205, 8-LFPAK56
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56D LFPAK56D LFPAK56D LFPAK56D
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V 6.3nC @ 5V 22.6nC @ 5V 22.2nC @ 5V
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A 18.2A (Ta) 40A 40A
Numero di prodotto di base BUK9K45 BUK9K25 BUK9K5 BUK9K6
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 53W 32W (Ta) 64W 64W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

BUK9K45-100E,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BUK9K45-100E,115 PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per BUK9K45-100E,115 - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Pack/Label Update 30/Nov/2016.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 22/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
BUK9K45-100E.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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