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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBUK7E1R8-40E,127
BUK7E1R8-40E,127 Image
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BUK7E1R8-40E,127 - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BUK7E1R8-40E,127
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-BUK7E1R8-40E,127
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
BUK7E1R8-40E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BUK7E1R8-40E,127
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - BUK7E1R8-40E,127, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - BUK7E1R8-40E,127

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 349W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11340 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. BUK7E1R8-40E,127

Proprietà del prodotto BUK7E1R8-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7D36-60EX BUK7J1R0-40HX
Modello di prodotti BUK7E1R8-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7D36-60EX BUK7J1R0-40HX
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Ta) 5.5A (Ta), 14A (Tc) 220A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V 1.4mOhm @ 25A, 10V 36mOhm @ 5.5A, 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11340 pF @ 25 V 8155 pF @ 25 V 453 pF @ 30 V -
Vgs (Max) ±20V +20V, -10V ±20V +20V, -10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA SOT-1023, 4-LFPAK 6-UDFN Exposed Pad -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V -
Dissipazione di potenza (max) 349W (Tc) 395W (Ta) 2.3W (Ta), 15W (Tc) -
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK LFPAK56; Power-SO8 DFN2020MD-6 -
Caratteristica FET - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q100
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 3.6V @ 1mA 4V @ 250µA -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -

BUK7E1R8-40E,127 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BUK7E1R8-40E,127 PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per BUK7E1R8-40E,127 - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Mult Devices Label 30/Sep/2018.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Jun/2020.pdf
Schede tecniche
BUK7E1R8-40E.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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