Specifiche
Specifiche tecnologiche 2N7002BKM315
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - 2N7002BKM315, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - 2N7002BKM315
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| fabbricante |
Nexperia |
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| Vgs (th) (max) a Id |
2.1V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
SOT-883 |
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| Serie |
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
1.6Ohm @ 500mA, 10V |
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| Dissipazione di potenza (max) |
360mW (Ta) |
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| Contenitore / involucro |
SC-101, SOT-883 |
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| Pacchetto |
Bulk |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
50 pF @ 10 V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
0.6 nC @ 4.5 V |
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| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
- |
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| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
60 V |
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| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
450mA (Ta) |
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| Numero di prodotto di base |
2N7002 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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2N7002BKTFreescale / NXP Semiconductors
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
2N7002AKLITEON