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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF350
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF350 - NTE Electronics, Inc

fabbricante Modello di prodotti
IRF350
fabbricante
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF350
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-204AA, TO-3
Scheda dati
IRF350.pdf
In magazzino: 2324

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF350
Specifiche tecniche NTE Electronics, Inc - IRF350, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NTE Electronics, Inc - IRF350

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NTE Electronics, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-204AA, TO-3  
Pacchetto Bag  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NTE Electronics, Inc IRF350

Proprietà del prodotto IRF350 IRF3515S IRF3415SPBF IRF3415S
Modello di prodotti IRF350 IRF3515S IRF3415SPBF IRF3415S
fabbricante NTE Electronics, Inc Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 14A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-204AA, TO-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Bag Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 2260 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 41A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 150 V 150 V 150 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-3 D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

IRF350 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF350 PDF e la documentazione NTE Electronics, Inc per IRF350 - NTE Electronics, Inc.

Informazioni ambientali
RoHS Statement.pdf
Schede tecniche
IRF350.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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