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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2N7002
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N7002 - NTE Electronics, Inc

fabbricante Modello di prodotti
2N7002
fabbricante
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-2N7002
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
2N7002 Datasheet.pdf
In magazzino: 143850

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N7002
Specifiche tecniche NTE Electronics, Inc - 2N7002, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NTE Electronics, Inc - 2N7002

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NTE Electronics, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Bag  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta)  
Numero di prodotto di base 2N7002  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NTE Electronics, Inc 2N7002

Proprietà del prodotto 2N7002 2N7000RLRAG 2N7002 2N7002
Modello di prodotti 2N7002 2N7000RLRAG 2N7002 2N7002
fabbricante NTE Electronics, Inc onsemi STMicroelectronics UMW
Serie - - STripFET™ UMW
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Pacchetto Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base 2N7002 2N7000 2N70 2N7002
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta) 350mW (Tc) 350mW (Tc) 225mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±18V 20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Tc) 115mA (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 TO-92 (TO-226) SOT-23-3 SOT-23
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 43 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

2N7002 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N7002 PDF e la documentazione NTE Electronics, Inc per 2N7002 - NTE Electronics, Inc.

Informazioni ambientali
RoHS Statement.pdf
Schede tecniche
2N7002 Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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