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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N6730
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N6730 - NTE Electronics, Inc

fabbricante Modello di prodotti
2N6730
fabbricante
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-2N6730
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 100V 2A TO237
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-237AA
Scheda dati
2N67xx Datasheet.pdf
In magazzino: 41360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N6730
Specifiche tecniche NTE Electronics, Inc - 2N6730, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NTE Electronics, Inc - 2N6730

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NTE Electronics, Inc.  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 10mA, 250mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-237  
Serie -  
Potenza - Max 1 W  
Contenitore / involucro TO-237AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bag  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 500MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 50mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NTE Electronics, Inc 2N6730

Proprietà del prodotto 2N6730 2N6725 2N6724 2N6725
Modello di prodotti 2N6730 2N6725 2N6724 2N6725
fabbricante NTE Electronics, Inc onsemi onsemi NTE Electronics, Inc
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V 50 V 40 V 50 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-237 TO-237 TO-237 TO-237
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A 1 A 1 A 1 A
Serie - - - -
Pacchetto Bag Bulk Bulk Bag
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) - - -
Potenza - Max 1 W 1 W 1 W 1 W
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 50mA, 1V 4000 @ 1A, 5V 4000 @ 1A, 5V 4000 @ 1A, 5V
Contenitore / involucro TO-237AA TO-237AA TO-237AA TO-237AA
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 10mA, 250mA 1.5V @ 2mA, 1A 1.5V @ 2mA, 1A 1.5V @ 2mA, 1A
Tipo transistor PNP NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington
Frequenza - transizione 500MHz - - -

2N6730 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N6730 PDF e la documentazione NTE Electronics, Inc per 2N6730 - NTE Electronics, Inc.

Informazioni ambientali
RoHS Statement.pdf
Schede tecniche
2N67xx Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-2N6730

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