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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N4912
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N4912 - NTE Electronics, Inc

fabbricante Modello di prodotti
2N4912
fabbricante
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-2N4912
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 80V 4A TO66
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-213AA, TO-66-2
Scheda dati
2N4912 Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13193

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N4912
Specifiche tecniche NTE Electronics, Inc - 2N4912, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NTE Electronics, Inc - 2N4912

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NTE Electronics, Inc.  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic -  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-66 (TO-213AA)  
Serie -  
Potenza - Max 25 W  
Contenitore / involucro TO-213AA, TO-66-2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bag  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce -  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NTE Electronics, Inc 2N4912

Proprietà del prodotto 2N4912 2N4918G 2N4919G 2N4912
Modello di prodotti 2N4912 2N4918G 2N4919G 2N4912
fabbricante NTE Electronics, Inc onsemi onsemi Microchip Technology
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A 1 A 1 A 4 A
Frequenza - transizione - 3MHz 3MHz -
Potenza - Max 25 W 30 W 30 W 25 W
Tipo transistor PNP PNP PNP PNP
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V 40 V 60 V 80 V
Pacchetto Bag Bulk Bulk Bulk
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-213AA, TO-66-2 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-213AA, TO-66-2
Vce saturazione (max) a Ib, Ic - 600mV @ 100mA, 1A 600mV @ 100mA, 1A -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce - 30 @ 500mA, 1V 30 @ 500mA, 1V -
Corrente - Cutoff collettore (max) - 500µA 500µA -
temperatura di esercizio - -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-66 (TO-213AA) TO-126 TO-126 TO-66 (TO-213AA)

2N4912 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N4912 PDF e la documentazione NTE Electronics, Inc per 2N4912 - NTE Electronics, Inc.

Informazioni ambientali
RoHS Statement.pdf
Schede tecniche
2N4912 Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTE Electronics, Inc
32D-2N4912

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