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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RFMRF555
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MRF555 - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
MRF555
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MRF555
Modello ECAD
Descrizione delle parti
RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
Pacchetto
Power Macro
Scheda dati
MRF555.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4990

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MRF555
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - MRF555, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - MRF555

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 16V  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore Power Macro  
Serie -  
Potenza - Max 3W  
Contenitore / involucro Power Macro  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Di rumore (dB tip @ f) -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Guadagno 11dB ~ 13dB  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 250mA, 5V  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA  
Numero di prodotto di base MRF555  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation MRF555

Proprietà del prodotto MRF555 MRF544 MRF581 MRF559
Modello di prodotti MRF555 MRF544 MRF581 MRF559
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Contenitore dispositivo fornitore Power Macro TO-39 Micro-X ceramic (84C) Macro-X
Potenza - Max 3W 3.5W 1.25W 2W
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Di rumore (dB tip @ f) - - 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 250mA, 5V 15 @ 50mA, 6V 50 @ 50mA, 5V 30 @ 50mA, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Guadagno 11dB ~ 13dB 13.5dB 13dB ~ 15.5dB 9.5dB
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 16V 70V 18V 16V
Contenitore / involucro Power Macro TO-39 Micro-X ceramic (84C) Macro-X
temperatura di esercizio - - 150°C (TJ) -
Numero di prodotto di base MRF555 - MRF581 -
Frequenza - transizione - 1.5GHz 5GHz 870MHz
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA 400mA 200mA 150mA
Serie - - - -
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN

MRF555 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MRF555 PDF e la documentazione Microsemi Corporation per MRF555 - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
MRF Series 02/Jul/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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  1. Telefono
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