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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloJANSR2N7389
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

JANSR2N7389 - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
JANSR2N7389
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-JANSR2N7389
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-205AF Metal Can
Scheda dati
JANSR2N7389.pdf
In magazzino: 4920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche JANSR2N7389
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - JANSR2N7389, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - JANSR2N7389

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-205AF (TO-39)  
Serie Military, MIL-PRF-19500/630  
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 6.5A, 12V  
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-205AF Metal Can  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 12 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)  

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Proprietà del prodotto JANSR2N7389 JANSR2N7422U JANSR2N7391 JANSR2N7390
Modello di prodotti JANSR2N7389 JANSR2N7422U JANSR2N7391 JANSR2N7390
fabbricante Microsemi Corporation IR IR IR
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 12 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-205AF (TO-39) - - -
Tipo FET P-Channel - - -
Pacchetto Tray - - -
Contenitore / involucro TO-205AF Metal Can - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 6.5A, 12V - - -
Serie Military, MIL-PRF-19500/630 - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc) - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V - - -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole - - -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V - - -

JANSR2N7389 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica JANSR2N7389 PDF e la documentazione Microsemi Corporation per JANSR2N7389 - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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