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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliAPTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APTGT75SK120D1G - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APTGT75SK120D1G
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APTGT75SK120D1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 1200V 110A 357W D1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
D1
Scheda dati
APTGT75SK120D1.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 5120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APTGT75SK120D1G
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APTGT75SK120D1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APTGT75SK120D1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 75A  
Contenitore dispositivo fornitore D1  
Serie -  
Potenza - Max 357 W  
Contenitore / involucro D1  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 5.345 nF @ 25 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench Field Stop  
Corrente - Cutoff collettore (max) 4 mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 110 A  
Configurazione Single  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APTGT75SK120D1G

Proprietà del prodotto APTGT75SK120D1G APTGT75DA170D1G APTGT50X60T3G APTGT75A170D1G
Modello di prodotti APTGT75SK120D1G APTGT75DA170D1G APTGT50X60T3G APTGT75A170D1G
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation
Tipo IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Corrente - collettore (Ic) (max) 110 A 120 A 80 A 120 A
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V 1700 V 600 V 1700 V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.1V @ 15V, 75A 2.4V @ 15V, 75A 1.9V @ 15V, 50A 2.4V @ 15V, 75A
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) - -40°C ~ 175°C (TJ) -
Termistore NTC No No Yes No
Serie - - - -
Potenza - Max 357 W 520 W 176 W 520 W
Contenitore / involucro D1 D1 SP3 D1
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 5.345 nF @ 25 V 6.5 nF @ 25 V 3.15 nF @ 25 V 6.5 nF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore D1 D1 SP3 D1
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Configurazione Single Single Three Phase Inverter Half Bridge
Ingresso Standard Standard Standard Standard
Corrente - Cutoff collettore (max) 4 mA 5 mA 250 µA 5 mA
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

APTGT75SK120D1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APTGT75SK120D1G PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APTGT75SK120D1G - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APTGT75SK120D1.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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