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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliAPTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

APTGT50SK170D1G - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APTGT50SK170D1G
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APTGT50SK170D1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1
Pacchetto
D1
Scheda dati
APTGT50SK170D1G.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4180

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche APTGT50SK170D1G
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APTGT50SK170D1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APTGT50SK170D1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1700 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 50A  
Contenitore dispositivo fornitore D1  
Serie -  
Potenza - Max 310 W  
Contenitore / involucro D1  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.4 nF @ 25 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench Field Stop  
Corrente - Cutoff collettore (max) 6 mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 70 A  
Configurazione Single  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APTGT50SK170D1G

Proprietà del prodotto APTGT50SK170D1G APTGT50SK170T1G APTGT600U120D4G APTGT50A170D1G
Modello di prodotti APTGT50SK170D1G APTGT50SK170T1G APTGT600U120D4G APTGT50A170D1G
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
Corrente - Cutoff collettore (max) 6 mA 250 µA 5 mA 6 mA
Termistore NTC No Yes No No
Contenitore dispositivo fornitore D1 SP1 D4 D1
Contenitore / involucro D1 SP1 D4 D1
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.4 nF @ 25 V 4.4 nF @ 25 V 40 nF @ 25 V 4.4 nF @ 25 V
temperatura di esercizio - -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
Ingresso Standard Standard Standard Standard
Tipo IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Serie - - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1700 V 1700 V 1200 V 1700 V
Configurazione Single Single Single Half Bridge
Potenza - Max 310 W 312 W 2500 W 310 W
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Corrente - collettore (Ic) (max) 70 A 75 A 900 A 70 A
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 50A 2.4V @ 15V, 50A 2.1V @ 15V, 600A 2.4V @ 15V, 50A
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk

APTGT50SK170D1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APTGT50SK170D1G PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APTGT50SK170D1G - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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