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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliAPTGF165DA60D1G
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APTGF165DA60D1G - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APTGF165DA60D1G
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APTGF165DA60D1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 600V 230A 730W D1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
D1
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
In magazzino: 5120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APTGF165DA60D1G
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APTGF165DA60D1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APTGF165DA60D1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 200A  
Contenitore dispositivo fornitore D1  
Serie -  
Potenza - Max 730 W  
Contenitore / involucro D1  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9 nF @ 25 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT NPT  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500 µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 230 A  
Configurazione Single  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APTGF165DA60D1G

Proprietà del prodotto APTGF165DA60D1G APTGF250DA60D3G APTGF150DU120TG APTGF250SK60D3G
Modello di prodotti APTGF165DA60D1G APTGF250DA60D3G APTGF150DU120TG APTGF250SK60D3G
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Tipo IGBT NPT NPT NPT NPT
Contenitore / involucro D1 D-3 Module SP4 D-3 Module
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Corrente - Cutoff collettore (max) 500 µA 500 µA 350 µA 500 µA
Potenza - Max 730 W 1250 W 961 W 1250 W
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9 nF @ 25 V 13 nF @ 25 V 10.2 nF @ 25 V 13 nF @ 25 V
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 600 V 1200 V 600 V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 200A 2.45V @ 15V, 300A 3.7V @ 15V, 150A 2.45V @ 15V, 300A
Contenitore dispositivo fornitore D1 D3 SP4 D3
Corrente - collettore (Ic) (max) 230 A 400 A 200 A 400 A
temperatura di esercizio - - - -
Serie - - - -
Configurazione Single Single Dual, Common Source Single
Termistore NTC No No Yes No
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Ingresso Standard Standard Standard Standard

APTGF165DA60D1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APTGF165DA60D1G PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APTGF165DA60D1G - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
D1 Package Devices 12/Jun/2015.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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