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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT97N65LC6
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT97N65LC6 - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT97N65LC6
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT97N65LC6
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 97A TO264
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
APT97N65LC6.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4380

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT97N65LC6
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT97N65LC6, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT97N65LC6

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 2.96mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 [L]  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 41mOhm @ 48.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 862W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 97A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT97N65  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT97N65LC6

Proprietà del prodotto APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APT94N60L2C3G
Modello di prodotti APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APT94N60L2C3G
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V 2606 pF @ 25 V 2605 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
Numero di prodotto di base APT97N65 APT9F100 APT9M100 APT94N60
Dissipazione di potenza (max) 862W (Tc) 337W (Tc) 335W (Tc) 833W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 2.96mA 5V @ 1mA 5V @ 1mA 3.9V @ 5.4mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 640 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 1000 V 1000 V 600 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-264 [L] TO-247 [B] TO-247 [B] 264 MAX™ [L2]
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 97A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc) 94A (Tc)
Serie CoolMOS™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ -
Rds On (max) a Id, Vgs 41mOhm @ 48.5A, 10V 1.6Ohm @ 5A, 10V 1.4Ohm @ 5A, 10V 35mOhm @ 60A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

APT97N65LC6 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT97N65LC6 PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT97N65LC6 - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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