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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT8018JN
APT8018JN Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT8018JN - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT8018JN
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT8018JN
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT8018JN.pdf
In magazzino: 5180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT8018JN
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT8018JN, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT8018JN

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS IV®  
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 690W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tray  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 700 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT8018JN

Proprietà del prodotto APT8018JN APT8015JVFR APT8020LLLG APT8014L2FLLG
Modello di prodotti APT8018JN APT8015JVFR APT8020LLLG APT8014L2FLLG
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® TO-264 [L] 264 MAX™ [L2]
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 44A (Tc) 38A (Tc) 52A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 800 V 800 V 800 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 690W (Tc) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 20A, 10V 150mOhm @ 500mA, 10V 200mOhm @ 19A, 10V 160mOhm @ 26A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5mA 4V @ 5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 5mA
Pacchetto Tray Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 700 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V 17650 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V 7238 pF @ 25 V
Serie POWER MOS IV® POWER MOS V® POWER MOS 7® POWER MOS 7®

APT8018JN Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT8018JN PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT8018JN - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Legacy Prod EOL 1/Mar/2017.pdf
Schede tecniche
APT8018JN.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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