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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT6M100K
APT6M100K Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT6M100K - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT6M100K
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT6M100K
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
APT6M100K.pdf
In magazzino: 4990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT6M100K
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT6M100K, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT6M100K

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 [K]  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5Ohm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 225W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1410 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT6M100K

Proprietà del prodotto APT6M100K APT70SM70S APT66M60B2 APT75F50B2
Modello di prodotti APT6M100K APT70SM70S APT66M60B2 APT75F50B2
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 125 nC @ 20 V 330 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1410 pF @ 25 V - 13190 pF @ 25 V 11600 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5Ohm @ 3A, 10V 70mOhm @ 32.5A, 20V 100mOhm @ 33A, 10V 75mOhm @ 37A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 [K] D3Pak T-MAX™ [B2] T-MAX™ [B2]
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - POWER MOS 8™
Vgs (Max) ±30V +25V, -10V ±30V ±30V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 225W (Tc) 220W (Tc) 1135W (Tc) 1040W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 65A (Tc) 70A (Tc) 75A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 700 V 600 V 500 V

APT6M100K Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT6M100K PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT6M100K - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 30/Apr/2015.pdf
Schede tecniche
APT6M100K.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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