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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT60M80JVR
APT60M80JVR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT60M80JVR - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT60M80JVR
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT60M80JVR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT60M80JVR.pdf
In magazzino: 4920

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Specifiche

Specifiche tecnologiche APT60M80JVR
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT60M80JVR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT60M80JVR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 568W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 870 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT60M80JVR

Proprietà del prodotto APT60M80JVR APT60M75JLL APT60M75JFLL APT60M60JLL
Modello di prodotti APT60M80JVR APT60M75JLL APT60M75JFLL APT60M60JLL
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V 75mOhm @ 29A, 10V 75mOhm @ 29A, 10V 60mOhm @ 35A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 870 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 289 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 568W (Tc) 595W (Tc) 595W (Tc) 694W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14500 pF @ 25 V 8930 pF @ 25 V 8930 pF @ 25 V 12630 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 5mA 5V @ 5mA 5V @ 5mA 5V @ 5mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc) 58A (Tc) 58A (Tc) 70A (Tc)
Serie POWER MOS V® POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7®

APT60M80JVR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT60M80JVR PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT60M80JVR - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
DPT0F081A1230 Series EOL 15/Sep/2016.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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