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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT28F60B
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT28F60B - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT28F60B
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT28F60B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT28F60B
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT28F60B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT28F60B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5575 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT28F60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT28F60B

Proprietà del prodotto APT28F60B APT29F100B2 APT25SM120B APT29F80J
Modello di prodotti APT28F60B APT29F100B2 APT25SM120B APT29F80J
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 2.5V @ 1mA 5V @ 2.5mA
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc) 1040W (Tc) 175W (Tc) 543W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 1000 V 1200 V 800 V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 72 nC @ 20 V 303 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 14A, 10V 440mOhm @ 16A, 10V 175mOhm @ 10A, 20V 210mOhm @ 24A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5575 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V - 9326 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Numero di prodotto di base APT28F60 APT29F100 - APT29F80
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] T-MAX™ [B2] TO-247 ISOTOP®
Vgs (Max) ±30V ±30V +25V, -10V ±30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 25A (Tc) 31A (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC
Serie - POWER MOS 8™ - POWER MOS 8™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V

APT28F60B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT28F60B PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT28F60B - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Foglio dati HTML
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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