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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT20M38BVFRG
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT20M38BVFRG - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT20M38BVFRG
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT20M38BVFRG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 67A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
In magazzino: 3930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT20M38BVFRG
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT20M38BVFRG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT20M38BVFRG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6120 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 67A (Tc)  

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Proprietà del prodotto APT20M38BVFRG APT20M22JVRU2 APT20M22JVRU3 APT20M45BVRG
Modello di prodotti APT20M38BVFRG APT20M22JVRU2 APT20M22JVRU3 APT20M45BVRG
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] SOT-227 SOT-227 TO-247 [B]
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6120 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V 4860 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie POWER MOS V® - - POWER MOS V®
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 4V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA 4V @ 1mA
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 48.5A, 10V 22mOhm @ 48.5A, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V
Contenitore / involucro TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 67A (Tc) 97A (Tc) 97A (Tc) 56A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc) 450W (Tc) 450W (Tc) 300W (Tc)

APT20M38BVFRG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT20M38BVFRG PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT20M38BVFRG - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Device OBS 15/Sep/2016.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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