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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT12067JLL
APT12067JLL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT12067JLL - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT12067JLL
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT12067JLL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT12067JLL.pdf
In magazzino: 4310

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Specifiche

Specifiche tecnologiche APT12067JLL
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT12067JLL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT12067JLL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227  
Serie POWER MOS 7®  
Rds On (max) a Id, Vgs 570mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT12067  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT12067JLL

Proprietà del prodotto APT12067JLL APT12057JLL APT12080JVFR APT12080JVR
Modello di prodotti APT12067JLL APT12057JLL APT12080JVFR APT12080JVR
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V - ±30V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227 SOT-227 ISOTOP® ISOTOP®
Pacchetto Bulk Bulk Tube Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base APT12067 APT12057 APT12080 -
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc) 520W (Tc) - 450W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6200 pF @ 25 V 6200 pF @ 25 V 7800 pF @ 25 V 7800 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 570mOhm @ 10A, 10V 570mOhm @ 10A, 10V 800mOhm @ 7.5A, 10V 800mOhm @ 7.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 485 nC @ 10 V 485 nC @ 10 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Serie POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS V® POWER MOS V®
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 19A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

APT12067JLL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT12067JLL PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT12067JLL - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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