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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori ponteAPT10DC120HJ
APT10DC120HJ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT10DC120HJ - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT10DC120HJ
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT10DC120HJ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT10DC120HJ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT10DC120HJ
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT10DC120HJ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT10DC120HJ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Tensione - Picco inversa (max) 1.2 kV  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8 V @ 10 A  
Tecnologia Silicon Carbide Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227  
Serie -  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 1200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 10 A  
Numero di prodotto di base APT10DC120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT10DC120HJ

Proprietà del prodotto APT10DC120HJ APT10M11JVRU2 APT10M11LVR APT10M11JVFR
Modello di prodotti APT10DC120HJ APT10M11JVRU2 APT10M11LVR APT10M11JVFR
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology APT Microchip Technology
Corrente - raddrizzata media (Io) 10 A - - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8 V @ 10 A - - -
Numero di prodotto di base APT10DC120 APT10M11 - APT10M11
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount - Chassis Mount
Pacchetto Bulk Bulk - Tube
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 1200 V - - -
Tecnologia Silicon Carbide Schottky MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Tensione - Picco inversa (max) 1.2 kV - - -
Serie - - - POWER MOS V®
Tipo diodo Single Phase - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC - SOT-227-4, miniBLOC
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227 SOT-227 - ISOTOP®

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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APT10DC120HJ

Microsemi Corporation
32D-APT10DC120HJ

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