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MT53E512M32D2NP-046 WT:F - Micron Technology Inc.

fabbricante Modello di prodotti
MT53E512M32D2NP-046 WT:F
fabbricante
Micron Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-MT53E512M32D2NP-046 WT:F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Pacchetto
200-WFBGA
Scheda dati
MT53E512M32D2NP-046 WT:F.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4290

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MT53E512M32D2NP-046 WT:F
Specifiche tecniche Micron Technology Inc. - MT53E512M32D2NP-046 WT:F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Micron Technology Inc. - MT53E512M32D2NP-046 WT:F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Micron Technology  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -  
Tensione di alimentazione - 1.1V  
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4  
Contenitore dispositivo fornitore 200-WFBGA (10x14.5)  
Serie -  
Contenitore / involucro 200-WFBGA  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 16Gbit  
Organizzazione di memoria 512M x 32  
Interfaccia di memoria -  
Formato di memoria DRAM  
Frequenza dell'orologio 2.133 GHz  
Numero di prodotto di base MT53E512  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN OBSOLETE
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT:F

Proprietà del prodotto MT53E512M32D2NP-046 WT:F MT53E512M32D2NP-053 WT:E MT53E512M64D4NW-046 WT:E MT53E768M32D4DT-046 AIT:E
Modello di prodotti MT53E512M32D2NP-046 WT:F MT53E512M32D2NP-053 WT:E MT53E512M64D4NW-046 WT:E MT53E768M32D4DT-046 AIT:E
fabbricante Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Numero di prodotto di base MT53E512 MT53E512 MT53E512 MT53E768
Frequenza dell'orologio 2.133 GHz - 2.133 GHz 2.133 GHz
Serie - - - Automotive, AEC-Q100
Contenitore / involucro 200-WFBGA 200-WFBGA 432-VFBGA 200-VFBGA
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 200-WFBGA (10x14.5) 200-WFBGA (10x14.5) 432-VFBGA (15x15) 200-VFBGA (10x14.5)
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) - -30°C ~ 85°C (TC) -40°C ~ 95°C (TC)
Pacchetto Tray Tray Box Tray
Organizzazione di memoria 512M x 32 - 512M x 64 768M x 32
Tensione di alimentazione - 1.1V - 1.1V 1.1V
Formato di memoria DRAM - DRAM DRAM
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 - SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4
Tipo di memoria Volatile - Volatile Volatile
Interfaccia di memoria - - - -
Dimensione della memoria 16Gbit - 32Gbit 24Gbit

MT53E512M32D2NP-046 WT:F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MT53E512M32D2NP-046 WT:F PDF e la documentazione Micron Technology Inc. per MT53E512M32D2NP-046 WT:F - Micron Technology Inc..

Assemblaggio/origine PCN
Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020.pdf
PCN Design/Specifica
Memory 24-May-2022.pdf
Packaging PCN
Tray 05-May-2022.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 8/Apr/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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MT53E512M32D2NP-046 WT:F

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