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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaEDF8132A3MA-JD-F-D
Micron Technology Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

EDF8132A3MA-JD-F-D - Micron Technology Inc.

fabbricante Modello di prodotti
EDF8132A3MA-JD-F-D
fabbricante
Micron Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-EDF8132A3MA-JD-F-D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 933MHZ
Pacchetto
-
Scheda dati
EDF8132A3MA-JD-F-D.pdf
Stato RoHS
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In magazzino: 10800

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Specifiche

Specifiche tecnologiche EDF8132A3MA-JD-F-D
Specifiche tecniche Micron Technology Inc. - EDF8132A3MA-JD-F-D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Micron Technology Inc. - EDF8132A3MA-JD-F-D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Micron Technology  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -  
Tensione di alimentazione - 1.14V ~ 1.95V  
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR3  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Serie -  
Contenitore / involucro -  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 8Gbit  
Organizzazione di memoria 256M x 32  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria DRAM  
Frequenza dell'orologio 933 MHz  
Numero di prodotto di base EDF8132  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato
ECCN OBSOLETE
HTSUS 0000.00.0000

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Micron Technology Inc. EDF8132A3MA-JD-F-D

Proprietà del prodotto EDF8132A3MA-JD-F-D EDF8132A3PF-GD-F-D EDF8132A3PB-GD-F-D EDF8132A3MA-GD-F-D
Modello di prodotti EDF8132A3MA-JD-F-D EDF8132A3PF-GD-F-D EDF8132A3PB-GD-F-D EDF8132A3MA-GD-F-D
fabbricante Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Contenitore dispositivo fornitore - - 216-WFBGA (12x12) -
Organizzazione di memoria 256M x 32 256M x 32 256M x 32 256M x 32
Tipo di memoria Volatile Volatile Volatile Volatile
Numero di prodotto di base EDF8132 EDF8132 EDF8132 EDF8132
Serie - - - -
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR3 SDRAM - Mobile LPDDR3 SDRAM - Mobile LPDDR3 SDRAM - Mobile LPDDR3
Tipo montaggio - - Surface Mount -
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina - - - -
Tensione di alimentazione - 1.14V ~ 1.95V 1.14V ~ 1.95V 1.14V ~ 1.95V 1.14V ~ 1.95V
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Contenitore / involucro - - - -
Pacchetto Tray Tray Tray Tray
Dimensione della memoria 8Gbit 8Gbit 8Gbit 8Gbit
Frequenza dell'orologio 933 MHz 800 MHz 800 MHz 800 MHz
Formato di memoria DRAM DRAM DRAM DRAM
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC)

EDF8132A3MA-JD-F-D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica EDF8132A3MA-JD-F-D PDF e la documentazione Micron Technology Inc. per EDF8132A3MA-JD-F-D - Micron Technology Inc..

Packaging PCN
Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019.pdf Label 12/Sep/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
24nm-4G LPDDR3 EOL 9/Nov/2016.pdf LPDDR3 04/Nov/2015.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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