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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloVP2206N3-G
VP2206N3-G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VP2206N3-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
VP2206N3-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-VP2206N3-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Scheda dati
VP2206N3-G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23527

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VP2206N3-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - VP2206N3-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - VP2206N3-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 10mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 740mW (Tc)  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Pacchetto Bag  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 640mA (Tj)  
Numero di prodotto di base VP2206  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology VP2206N3-G

Proprietà del prodotto VP2206N3-G VP2206N2 VP2206N3 VP22238
Modello di prodotti VP2206N3-G VP2206N2 VP2206N3 VP22238
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Electro-Films (EFI) / Vishay LUMILEDS
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-205AD, TO-39-3 Metal Can - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Numero di prodotto di base VP2206 VP2206 - -
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 10mA 3.5V @ 10mA - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 640mA (Tj) 750mA (Tj) - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V - -
Dissipazione di potenza (max) 740mW (Tc) 360mW (Tc) - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-39 - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - -
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Bag Bag - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V - -

VP2206N3-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VP2206N3-G PDF e la documentazione Microchip Technology per VP2206N3-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
PCN Design/Specifica
VP2206 20/Dec/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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