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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloVP2110K1-G
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VP2110K1-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
VP2110K1-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-VP2110K1-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
VP2110K1-G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 53050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VP2110K1-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - VP2110K1-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - VP2110K1-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 12Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120mA (Tj)  
Numero di prodotto di base VP2110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology VP2110K1-G

Proprietà del prodotto VP2110K1-G VP2206N2 VP2106N3-G VP21895-5
Modello di prodotti VP2110K1-G VP2206N2 VP2106N3-G VP21895-5
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology LUMILEDS
Rds On (max) a Id, Vgs 12Ohm @ 500mA, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 12Ohm @ 500mA, 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V -
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) TO-39 TO-92-3 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta) 360mW (Tc) 1W (Tc) -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole -
Numero di prodotto di base VP2110 VP2206 VP2106 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120mA (Tj) 750mA (Tj) 250mA (Tj) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1mA 3.5V @ 10mA 3.5V @ 1mA -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bag Bag -

VP2110K1-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VP2110K1-G PDF e la documentazione Microchip Technology per VP2110K1-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014.pdf
PCN Design/Specifica
VP2110 20/Dec/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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