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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTN2510N8-G
TN2510N8-G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TN2510N8-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
TN2510N8-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-TN2510N8-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-243AA
Scheda dati
TN2510.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38487

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TN2510N8-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - TN2510N8-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - TN2510N8-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 750mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-243AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 730mA (Tj)  
Numero di prodotto di base TN2510  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology TN2510N8-G

Proprietà del prodotto TN2510N8-G TN2540N3-G TN2504N8-G TN2501N8-G
Modello di prodotti TN2510N8-G TN2540N3-G TN2504N8-G TN2501N8-G
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-243AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA TO-243AA
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 400 V 40 V 18 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 1.6V @ 1mA 1V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 25 V 125 pF @ 25 V 125 pF @ 20 V 110 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 730mA (Tj) 175mA (Tj) 890mA (Tj) 400mA (Tj)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 1W (Ta) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc)
Numero di prodotto di base TN2510 TN2540 TN2504 TN2501
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 750mA, 10V 12Ohm @ 500mA, 10V 1Ohm @ 1.5A, 10V 2.5Ohm @ 200mA, 3V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 1.2V, 3V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89) TO-92-3 TO-243AA (SOT-89) TO-243AA (SOT-89)

TN2510N8-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TN2510N8-G PDF e la documentazione Microchip Technology per TN2510N8-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf TN2510 13/Nov/2020.pdf
Schede tecniche
TN2510.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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