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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTN0104N8-G
TN0104N8-G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TN0104N8-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
TN0104N8-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-TN0104N8-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-243AA
Scheda dati
TN0104.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 32968

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TN0104N8-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - TN0104N8-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - TN0104N8-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1.6V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-243AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 630mA (Tj)  
Numero di prodotto di base TN0104  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology TN0104N8-G

Proprietà del prodotto TN0104N8-G TN0200K-T1-E3 TN0201K-T1-E3 TN0104N3-G-P014
Modello di prodotti TN0104N8-G TN0200K-T1-E3 TN0201K-T1-E3 TN0104N3-G-P014
fabbricante Microchip Technology Vishay Siliconix Vishay Siliconix Microchip Technology
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 20 V 20 V 40 V
Vgs (th) (max) a Id 1.6V @ 500µA 1V @ 50µA 3V @ 250µA 1.6V @ 500µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 20 V - - 70 pF @ 20 V
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Tc) - 350mW (Ta) 1W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) TO-92-3
Contenitore / involucro TO-243AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di prodotto di base TN0104 TN0200 TN0201 TN0104
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V - 4.5V, 10V 3V, 10V
Serie - - TrenchFET® -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 10V 400mOhm @ 600mA, 4.5V 1Ohm @ 300mA, 10V 1.8Ohm @ 1A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 630mA (Tj) 730mA (Ta) 420mA (Ta) 450mA (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

TN0104N8-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TN0104N8-G PDF e la documentazione Microchip Technology per TN0104N8-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
TN0104.pdf
PCN Design/Specifica
TN0104 25/Jun/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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