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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciTC6320TG-G
TC6320TG-G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TC6320TG-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
TC6320TG-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-TC6320TG-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
TC6320TG-G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 35820

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TC6320TG-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - TC6320TG-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - TC6320TG-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V  
Potenza - Max -  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 200V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base TC6320  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology TC6320TG-G

Proprietà del prodotto TC6320TG-G TC6320K6-G TC6384AFG-0001 TC6320TG
Modello di prodotti TC6320TG-G TC6320K6-G TC6384AFG-0001 TC6320TG
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora HI
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Potenza - Max - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-VDFN Exposed Pad - -
Rds On (max) a Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V 7Ohm @ 1A, 10V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-DFN (4x4) - -
Numero di prodotto di base TC6320 TC6320 - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V 110pF @ 25V - -
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tensione drain-source (Vdss) 200V 200V - -
Serie - - - -

TC6320TG-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TC6320TG-G PDF e la documentazione Microchip Technology per TC6320TG-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Reel Design Update 07/May/2015.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
TC6320 05/Oct/2017.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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