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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAPTM100A13SG
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APTM100A13SG - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APTM100A13SG
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APTM100A13SG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SP6
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 111

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APTM100A13SG
Specifiche tecniche Microchip Technology - APTM100A13SG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APTM100A13SG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 6mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SP6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V  
Potenza - Max 1250W  
Contenitore / involucro SP6  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV)  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base APTM100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APTM100A13SG

Proprietà del prodotto APTM100A13SG APTM100A13DG APTM20AM04FG APTM10AM02FG
Modello di prodotti APTM100A13SG APTM100A13DG APTM20AM04FG APTM10AM02FG
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V 156mOhm @ 32.5A, 10V 5mOhm @ 186A, 10V 2.5mOhm @ 200A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V 15200pF @ 25V 28900pF @ 25V 40000pF @ 25V
Contenitore dispositivo fornitore SP6 SP6 SP6 SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A 65A 372A 495A
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V 562nC @ 10V 560nC @ 10V 1360nC @ 10V
Numero di prodotto di base APTM100 APTM100 APTM20 APTM10
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Potenza - Max 1250W 1250W 1250W 1250W
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 6mA 5V @ 6mA 5V @ 10mA 4V @ 10mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SP6 SP6 SP6 SP6
Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV) 1000V (1kV) 200V 100V
Serie - - - -

APTM100A13SG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APTM100A13SG PDF e la documentazione Microchip Technology per APTM100A13SG - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 27/Jan/2023.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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