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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT51M50J
APT51M50J Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT51M50J - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT51M50J
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT51M50J
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 958

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT51M50J
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT51M50J, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT51M50J

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 37A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 51A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT51M50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT51M50J

Proprietà del prodotto APT51M50J APT53F80J APT51F50J APT53N60BC6
Modello di prodotti APT51M50J APT53F80J APT51F50J APT53N60BC6
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc) 960W (Tc) 480W (Tc) 417W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® TO-247 [B]
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA 5V @ 5mA 5V @ 2.5mA 3.5V @ 1.72mA
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 37A, 10V 110mOhm @ 43A, 10V 75mOhm @ 37A, 10V 70mOhm @ 25.8A, 10V
Serie - POWER MOS 8™ - CoolMOS™
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11600 pF @ 25 V 17550 pF @ 25 V 11600 pF @ 25 V 4020 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 51A (Tc) 57A (Tc) 51A (Tc) 53A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 570 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 154 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 800 V 500 V 600 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base APT51M50 APT53F80 APT51F50 APT53N60
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

APT51M50J Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT51M50J PDF e la documentazione Microchip Technology per APT51M50J - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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