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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT47N60BC3G
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT47N60BC3G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT47N60BC3G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT47N60BC3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT47N60BC3G
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT47N60BC3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT47N60BC3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 2.7mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7015 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 47A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT47N60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT47N60BC3G

Proprietà del prodotto APT47N60BC3G APT47M60J APT45M100J APT47N65BC3G
Modello di prodotti APT47N60BC3G APT47M60J APT45M100J APT47N65BC3G
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] ISOTOP® SOT-227 TO-247 [B]
Serie - POWER MOS 8™ - CoolMOS™
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 2.7mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 3.9V @ 2.7mA
Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc) 540W (Tc) 960W (Tc) 417W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7015 pF @ 25 V 13190 pF @ 25 V 18500 pF @ 25 V 7015 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 30A, 10V 90mOhm @ 33A, 10V 180mOhm @ 33A, 10V 70mOhm @ 30A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 570 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base APT47N60 APT47M60 APT45M100 APT47N65
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Contenitore / involucro TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 1000 V 650 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 47A (Tc) 49A (Tc) 45A (Tc) 47A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

APT47N60BC3G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT47N60BC3G PDF e la documentazione Microchip Technology per APT47N60BC3G - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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