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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT40DR160HJ - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT40DR160HJ
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT40DR160HJ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT227
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2259

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT40DR160HJ
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT40DR160HJ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT40DR160HJ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Tensione - Picco inversa (max) 1.6 kV  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 40 A  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227  
Serie -  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 20 µA @ 1600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 40 A  
Numero di prodotto di base APT40DR160  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT40DR160HJ

Proprietà del prodotto APT40DR160HJ APT40DC120HJ APT4012BVR APT40GR120B2D30
Modello di prodotti APT40DR160HJ APT40DC120HJ APT4012BVR APT40GR120B2D30
fabbricante Microchip Technology Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3
Tecnologia Standard Silicon Carbide Schottky MOSFET (Metal Oxide) -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tube
Tensione - Picco inversa (max) 1.6 kV 1.2 kV - -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 40 A 1.8 V @ 40 A - -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 20 µA @ 1600 V 800 µA @ 1200 V - -
Serie - - POWER MOS V® -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - raddrizzata media (Io) 40 A 40 A - -
Tipo diodo Single Phase Single Phase - -
Numero di prodotto di base APT40DR160 APT40DC120 - APT40GR120
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227 SOT-227 TO-247AD TO-247-3

APT40DR160HJ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT40DR160HJ PDF e la documentazione Microchip Technology per APT40DR160HJ - Microchip Technology.

PCN Altro
2.73KHz.pdf
Foglio dati HTML
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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