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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT38F50J
APT38F50J Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT38F50J - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT38F50J
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT38F50J
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT38F50J.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1550

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT38F50J
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT38F50J, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT38F50J

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 355W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT38F50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT38F50J

Proprietà del prodotto APT38F50J APT38M50J APT38F80B2 APT39M60J
Modello di prodotti APT38F50J APT38M50J APT38F80B2 APT39M60J
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base APT38F50 APT38M50 APT38F80 APT39M60
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Serie POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 800 V 600 V
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 240mOhm @ 20A, 10V 110mOhm @ 28A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 38A (Tc) 41A (Tc) 42A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 355W (Tc) 357W (Tc) 1040W (Tc) 480W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V 8070 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® T-MAX™ [B2] ISOTOP®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

APT38F50J Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT38F50J PDF e la documentazione Microchip Technology per APT38F50J - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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