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Nord America
United States(English) Canada(English) Haiti(Ayiti) Mexico(español)
CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT30F50B
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

APT30F50B - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT30F50B
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT30F50B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 10220

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche APT30F50B
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT30F50B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT30F50B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (max) a Id, Vgs 190mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 415W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4525 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT30F50  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT30F50B

Proprietà del prodotto APT30F50B APT30F60J APT30GP60B APT30DQ60KG
Modello di prodotti APT30F50B APT30F60J APT30GP60B APT30DQ60KG
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology MICROSE Microchip Technology
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 190mOhm @ 14A, 10V 150mOhm @ 21A, 10V - -
Serie POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ - -
Dissipazione di potenza (max) 415W (Tc) 355W (Tc) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V - -
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V - -
Contenitore / involucro TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC - TO-220-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 31A (Tc) - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - Standard
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount - Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4525 pF @ 25 V 8590 pF @ 25 V - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] ISOTOP® - TO-220-2
Numero di prodotto di base APT30F50 APT30F60 - APT30DQ60
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA - -
Pacchetto Tube Tube - Tube

APT30F50B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT30F50B PDF e la documentazione Microchip Technology per APT30F50B - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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