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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT1001RBVRG
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT1001RBVRG - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT1001RBVRG
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT1001RBVRG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
APT1001RBVRG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2757

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT1001RBVRG
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT1001RBVRG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT1001RBVRG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 500mA, 10V  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3660 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT1001  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT1001RBVRG

Proprietà del prodotto APT1001RBVRG APT10021JLL APT1001R1BN APT10025JVFR
Modello di prodotti APT1001RBVRG APT10021JLL APT1001R1BN APT10025JVFR
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC
Serie POWER MOS V® POWER MOS 7® POWER MOS IV® POWER MOS V®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3660 pF @ 25 V 9750 pF @ 25 V 2950 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] ISOTOP® TO-247AD ISOTOP®
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 37A (Tc) 10.5A (Tc) 34A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 500mA, 10V 210mOhm @ 18.5A, 10V 1.1Ohm @ 5.25A, 10V 250mOhm @ 500mA, 10V
Numero di prodotto di base APT1001 APT10021 - APT10025
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 5V @ 5mA 4V @ 1mA 4V @ 5mA
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 395 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 990 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

APT1001RBVRG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT1001RBVRG PDF e la documentazione Microchip Technology per APT1001RBVRG - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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