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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2N6660
2N6660 Image
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2N6660 - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
2N6660
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-2N6660
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Scheda dati
2N6660.pdf
In magazzino: 2643

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N6660
Specifiche tecniche Microchip Technology - 2N6660, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - 2N6660

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-39  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 6.25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bag  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 24 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 410mA (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology 2N6660

Proprietà del prodotto 2N6660 2N6661 2N6661 2N6660
Modello di prodotti 2N6660 2N6661 2N6661 2N6660
fabbricante Microchip Technology Vishay Siliconix Microchip Technology Solid State Inc.
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 90 V 90 V 60 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 410mA (Ta) 860mA (Tc) 350mA (Tj) 1.1A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1A, 10V
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 24 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 24 V 50 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±40V
Serie - - - -
Pacchetto Bag Tube Bag Box
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 6.25W (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

2N6660 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N6660 PDF e la documentazione Microchip Technology per 2N6660 - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
2N6660.pdf
PCN Design/Specifica
New DeviceDoc 30/Mar/2016.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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