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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N5540
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

2N5540 - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
2N5540
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-2N5540
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER BJT
Pacchetto
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Scheda dati
2N5540.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 77

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N5540
Specifiche tecniche Microchip Technology - 2N5540, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - 2N5540

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 300 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic -  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-61  
Serie -  
Potenza - Max 87 W  
Contenitore / involucro TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ)  
Tipo montaggio Stud Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce -  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology 2N5540

Proprietà del prodotto 2N5540 2N5550TFR 2N5550TFR 2N5550
Modello di prodotti 2N5540 2N5550TFR 2N5550TFR 2N5550
fabbricante Microchip Technology onsemi Fairchild Semiconductor NTE Electronics, Inc
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bag
Potenza - Max 87 W 625 mW 625 mW 625 mW
Vce saturazione (max) a Ib, Ic - 250mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA
Contenitore dispositivo fornitore TO-61 TO-92-3 TO-92-3 TO-92 (TO-226)
Corrente - Cutoff collettore (max) - 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A 600 mA 600 mA 600 mA
Tipo transistor PNP NPN NPN NPN
Tipo montaggio Stud Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Frequenza - transizione - 300MHz 300MHz 300MHz
Serie - - - -
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce - 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Contenitore / involucro TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 300 V 140 V 140 V 140 V

2N5540 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N5540 PDF e la documentazione Microchip Technology per 2N5540 - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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