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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-JFET2N5114
2N5114 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N5114 - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
2N5114
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-2N5114
Modello ECAD
Descrizione delle parti
JFET P-CH 30V TO18
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Scheda dati
2N5114.pdf
In magazzino: 1205

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N5114
Specifiche tecniche Microchip Technology - 2N5114, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - 2N5114

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id 10 V @ 1 nA  
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) 30 V  
Contenitore dispositivo fornitore TO-18 (TO-206AA)  
Serie Military, MIL-PRF-19500  
Resistenza - RDS (on) 75 Ohms  
Potenza - Max 500 mW  
Contenitore / involucro TO-206AA, TO-18-3 Metal Can  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V  
Tipo FET P-Channel  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) 90 mA @ 18 V  
Numero di prodotto di base 2N5114  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology 2N5114

Proprietà del prodotto 2N5114 2N5116-E3 2N5116 2N5116
Modello di prodotti 2N5114 2N5116-E3 2N5116 2N5116
fabbricante Microchip Technology Vishay Siliconix Solid State Inc. Central Semiconductor Corp
Contenitore / involucro TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Contenitore dispositivo fornitore TO-18 (TO-206AA) TO-206AA (TO-18) TO-18 TO-18
Serie Military, MIL-PRF-19500 - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - 600 mV -
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) - - -65°C ~ 200°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V - 25pF @ 15V 25pF @ 15V
Resistenza - RDS (on) 75 Ohms - 150 Ohms 150 Ohms
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) 90 mA @ 18 V - - 5 mA @ 15 V
Numero di prodotto di base 2N5114 2N5116 - -
Pacchetto Bulk Tube Bulk Box
Tipo FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Potenza - Max 500 mW - 500 mW 500 mW
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) 30 V - 30 V 30 V
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id 10 V @ 1 nA - - 1 V @ 1 nA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

2N5114 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N5114 PDF e la documentazione Microchip Technology per 2N5114 - Microchip Technology.

Assemblaggio/origine PCN
2.73KHz.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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