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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N4999
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

2N4999 - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
2N4999
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-2N4999
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER BJT
Pacchetto
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Scheda dati
2N4999.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 134

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N4999
Specifiche tecniche Microchip Technology - 2N4999, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - 2N4999

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic -  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-59  
Serie -  
Potenza - Max 35 W  
Contenitore / involucro TO-210AA, TO-59-4, Stud  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Stud Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce -  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology 2N4999

Proprietà del prodotto 2N4999 2N4923 2N4998 2N4921G
Modello di prodotti 2N4999 2N4923 2N4998 2N4921G
fabbricante Microchip Technology NTE Electronics, Inc Microchip Technology onsemi
Tipo montaggio Stud Mount Through Hole Stud Mount Through Hole
Vce saturazione (max) a Ib, Ic - 600mV @ 100mA, 1A 850mV @ 200µA, 1mA 600mV @ 100mA, 1A
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A 1 A 2 A 1 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-59 TO-126 TO-59 TO-126
Pacchetto Bulk Bag Bulk Bulk
Frequenza - transizione - 3MHz - 3MHz
Potenza - Max 35 W 30 W 35 W 30 W
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce - 30 @ 500mA, 1V - 30 @ 500mA, 1V
Serie - - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V 80 V 80 V 40 V
Corrente - Cutoff collettore (max) - 500µA - 500µA
Tipo transistor PNP NPN NPN NPN
Contenitore / involucro TO-210AA, TO-59-4, Stud TO-225AA, TO-126-3 TO-210AA, TO-59-4, Stud TO-225AA, TO-126-3
temperatura di esercizio - -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)

2N4999 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N4999 PDF e la documentazione Microchip Technology per 2N4999 - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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