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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N3507
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

2N3507 - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
2N3507
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-2N3507
Modello ECAD
Descrizione delle parti
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Pacchetto
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Scheda dati
2N3507.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 1803

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N3507
Specifiche tecniche Microchip Technology - 2N3507, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - 2N3507

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-39  
Serie -  
Potenza - Max 1 W  
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 500mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base 2N3507  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology 2N3507

Proprietà del prodotto 2N3507 2N3583 2N3507 2N3501
Modello di prodotti 2N3507 2N3583 2N3507 2N3501
fabbricante Microchip Technology Solid State Inc. Central Semiconductor Corp Microchip Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 175 V 50 V 150 V
Potenza - Max 1 W 35 W 1 W 1 W
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A 5V @ 125mA, 1A 1.5V @ 250mA, 2.5A 400mV @ 15mA, 150mA
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 500mA, 1V 40 @ 500mA, 10V 35 @ 500mA, 1V 100 @ 150mA, 10V
Tipo transistor NPN NPN PNP NPN
Frequenza - transizione - - 3MHz -
Serie - - - -
Numero di prodotto di base 2N3507 - - 2N3501
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 1 A 3 A 300 mA
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA 10mA 1µA 10µA (ICBO)
Pacchetto Bulk Box Bulk Bulk
Contenitore dispositivo fornitore TO-39 TO-66 TO-39 TO-39 (TO-205AD)
Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-213AA, TO-66-2 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

2N3507 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N3507 PDF e la documentazione Microchip Technology per 2N3507 - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Manufacturing Change 23/Feb/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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