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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD23382F4T
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD23382F4T - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD23382F4T
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD23382F4T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-XFDFN
Scheda dati
CSD23382F4T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 75770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD23382F4T
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD23382F4T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD23382F4T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 3-PICOSTAR  
Serie FemtoFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 76mOhm @ 500mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-XFDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.35 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD23382  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD23382F4T

Proprietà del prodotto CSD23382F4T CSD23280F3T CSD25201W15 CSD23285F5T
Modello di prodotti CSD23382F4T CSD23280F3T CSD25201W15 CSD23285F5T
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 6 V 234 pF @ 6 V 510 pF @ 10 V 628 pF @ 6 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA 950mV @ 250µA 1.1V @ 250µA 950mV @ 250µA
Serie FemtoFET™ FemtoFET™ NexFET™ FemtoFET™
Contenitore / involucro 3-XFDFN 3-XFDFN 9-UFBGA, DSBGA 3-SMD, No Lead
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 1.8A (Ta) 4A (Ta) 5.4A (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 9-DSBGA 3-PICOSTAR
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.35 nC @ 4.5 V 1.23 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V -6V -6V -6V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 76mOhm @ 500mA, 4.5V 116mOhm @ 400mA, 4.5V 40mOhm @ 2A, 4.5V 35mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1.5W (Ta) 500mW (Ta)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base CSD23382 CSD23280 CSD25201 CSD23285
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 12 V 20 V 12 V

CSD23382F4T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD23382F4T PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD23382F4T - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
CSDx 15/Mar/2022.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf
Packaging PCN
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014.pdf

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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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