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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD16301Q2
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD16301Q2 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD16301Q2
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD16301Q2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
CSD16301Q2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 146390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD16301Q2
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD16301Q2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD16301Q2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.55V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-SON  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 8V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 12.5 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD16301  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD16301Q2

Proprietà del prodotto CSD16301Q2 CSD15380F3 CSD15571Q2 CSD16322Q5
Modello di prodotti CSD16301Q2 CSD15380F3 CSD15571Q2 CSD16322Q5
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V 0.281 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V 9.7 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 500mA (Ta) 22A (Ta) 21A (Ta), 97A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta) 500mW (Ta) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1.55V @ 250µA 1.35V @ 2.5µA 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 6-SON 3-PICOSTAR 6-SON (2x2) 8-VSON-CLIP (5x6)
Numero di prodotto di base CSD16301 CSD15380 CSD15571 CSD16322
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 20 V 20 V 25 V
Vgs (Max) +10V, -8V 10V ±20V +10V, -8V
Caratteristica FET - - - -
Serie NexFET™ FemtoFET™ NexFET™ NexFET™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 12.5 V 10.5 pF @ 10 V 419 pF @ 10 V 1365 pF @ 12.5 V
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 3-XFDFN 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 8V 1190mOhm @ 100mA, 8V 15mOhm @ 5A, 10V 5mOhm @ 20A, 8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V 2.8V, 8V 4.5V, 10V 3V, 8V

CSD16301Q2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD16301Q2 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD16301Q2 - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
Marking Standardization 29/Jan/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
CSDYYY 01/Feb/2019.pdf

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Asia India 4
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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