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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloUS5U1TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

US5U1TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
US5U1TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-US5U1TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Scheda dati
US5U1TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 140960

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche US5U1TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - US5U1TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - US5U1TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT5  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD (5 Leads), Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 80 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base US5U1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor US5U1TR

Proprietà del prodotto US5U1TR US5U29TR US5U2TR US5U35TR
Modello di prodotti US5U1TR US5U29TR US5U2TR US5U35TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Numero di prodotto di base US5U1 US5U29 US5U2 US5U35
Contenitore / involucro 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2 nC @ 4.5 V 2.1 nC @ 5 V 2 nC @ 5 V 1.7 nC @ 5 V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta) 1A (Ta) 1.4A (Ta) 700mA (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 80 pF @ 10 V 150 pF @ 10 V 70 pF @ 10 V 120 pF @ 10 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V 390mOhm @ 1A, 4.5V 240mOhm @ 1.4A, 10V 800mOhm @ 700mA, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TUMT5 TUMT5 TUMT5 TUMT5
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 45 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4V, 10V 4V, 10V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)

US5U1TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica US5U1TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per US5U1TR - Rohm Semiconductor.

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