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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUM6K31NTN
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

UM6K31NTN - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
UM6K31NTN
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-UM6K31NTN
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
UM6K31NTN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 401100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche UM6K31NTN
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - UM6K31NTN, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - UM6K31NTN

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore UMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V  
Potenza - Max 150mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base UM6K31  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor UM6K31NTN

Proprietà del prodotto UM6K31NTN UM6K33NTN UM6K34NTCN UM6K31NFHATCN
Modello di prodotti UM6K31NTN UM6K33NTN UM6K34NTCN UM6K31NFHATCN
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Potenza - Max 150mW 120mW 120mW 150mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA 200mA 200mA 250mA (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 50V 50V 60V
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA 1V @ 1mA 800mV @ 1mA 2.3V @ 1mA
Numero di prodotto di base UM6K31 UM6K33 UM6K34 UM6K31
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore dispositivo fornitore UMT6 UMT6 UMT6 UMT6
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate, 0.9V Drive -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V 25pF @ 10V 26pF @ 10V 15pF @ 25V

UM6K31NTN Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica UM6K31NTN PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per UM6K31NTN - Rohm Semiconductor.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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