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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUM6J1NTN
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

UM6J1NTN - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
UM6J1NTN
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-UM6J1NTN
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
UM6J1NTN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 167480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche UM6J1NTN
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - UM6J1NTN, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - UM6J1NTN

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore UMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V  
Potenza - Max 150mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base UM6J1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor UM6J1NTN

Proprietà del prodotto UM6J1NTN UM6868-03 UM6K1NG1DTN UM6K1 NTN
Modello di prodotti UM6J1NTN UM6868-03 UM6K1NG1DTN UM6K1 NTN
fabbricante Rohm Semiconductor UMC LAPIS Technology LAPIS Technology
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30V - - -
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - - -
Contenitore dispositivo fornitore UMT6 - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA - - -
Potenza - Max 150mW - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Numero di prodotto di base UM6J1 - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA - - -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) - - -

UM6J1NTN Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica UM6J1NTN PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per UM6J1NTN - Rohm Semiconductor.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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